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IXFB110N60P3中文资料

IXFB110N60P3图片

IXFB110N60P3外观图

  • 大小:137KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
  • 标准包装:25
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:Polar3™ HiPerFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:56 毫欧 @ 55A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:245nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:18000pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1890W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装:PLUS264?
  • 包装:管件

IXFB110N60P3供应商

更新时间:2023-03-23 20:37:03
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